可靠性平台共享与科研合作

在实验室运行过程中，与元器件的研制生产企业、电子产品制造企业、电子产品用户企业以及高等院校和科研院所开展广泛的科研合作，针对电子元器件、板级组件、整机系统，在失效机理及原因分析、可靠性评估方法、可靠性设计与预防、集成电路可信任性、整机系统的故障预测与诊断（PHM）等多方面联合开展科研项目申报、技术攻关和工程应用等工作，取得了丰硕的科研成果和良好的社会和经济效益。已有合作企业及科研院所近百家。

1、研究方向

  围绕电子元器件可靠性，实验室有四大科研方向：

（1）失效机理及数理模型；

  针对超深亚微米集成电路、高密度封装/组装和其他新型器件，面向各种应用环境如宇航、航空、海运等，开展失效机理研究，建立数理模型。

（2）失效分析新技术；

 开展缺陷探测、失效定位及分析、微量成分分析、以及各种测试验证技术等研究。

（3）可靠性试验与评估技术；

 开展加速寿命、间歇寿命、极限应力（HALT,HASS,HAST)以及辐照电磁等试验与评估技术研究。

（4）可靠性设计

开展基于失效机理的热设计、抗机械应力设计和长寿命设计等研究。

2、科研工作及成果

近十年，承担国家、地方和重大工程的科研项目几百项，其中，国家重大项目几十项。在元器件可靠性领域的科研水平处于国内领先地位，部分领域的科研成果达到国际先进。获得20余项省部级科研进步奖励，发明专利授权和自研软件登记超过100项。发表学术论文1000余篇，出版专著15部。  

3、重点科研领域

  针对SOC、CPU和PGA等超大规模集成电路，GaN、SiC等宽禁带微波和功率半导体器件、真空微波器件、MEMS器件、半导体激光器、光电探测器等等，开展

失效机理及模型研究、失效分析新技术、可靠性试验和寿命评估、可靠性模拟仿真与应用验证等研究。

4、科研案例

（1）GaN微波器件强应力试验及失效机理分析

发现了 AlGaN/GaNHEMTs 器件退化的一种新机理：由于栅金属和AlGaN层的热失配导致栅下产生裂纹，使得器件退化甚至失效。

（2）失效分析新技术              

对倒装芯片、叠层封装等超大规模IC开展的失效定位技术研究及应用，如微米精度的封装级芯片背面减薄技术、光束感生电阻变化背面缺陷定位技术、实时锁定热成像缺陷定位技术、聚焦离子束电路修改技术等等。

（3）寿命试验与评价

针对微波半导体器件及组件、微波真空器件、光电器件等长期贮存以及工作的寿命要求，  开展工作寿命和贮存寿命评价技术研究，具体包括：              

1）寿命失效机理及退化规律；

2）敏感参数及物理特征的表征分析手段；

3）试验应力及评价方法，开展试验。

（4）针对HIC气密封装开裂开展机械应力模拟仿真及抗振设计改进

薄弱点确定及结构加固

5、科研合作

与元器件的研制生产企业、电子产品制造企业、电子产品用户企业以及高等院校和科研院所开展广泛的科研合作，针对电子元器件、板级组件、整机系统，在失效机理及原因分析、可靠性评估方法、可靠性设计与预防、集成电路可信任性、整机系统的故障预测与诊断（PHM）等多方面联合开展科研项目申报、技术攻关和工程应用等工作，取得了丰硕的科研成果和良好的社会和经济效益。已有合作企业及科研院所近百家。

合作联系：

实验室管理办公室：电话：020-87236263，020-87234661；传真：020-87237017

失效机理及数量模型研究室 电话：020-37231385

失效分析新技术研究室  电话：020-87237725

可靠性试验与评估技术研究室  电话：020-87239857

可靠性设计研究室  电话：020-87237897