7月30日上午，国际电子电气工程师协会（IEEE）电子器件学会（EDS）广州分会第13次研讨会（Mini-colloquium）在我所举行。本次研讨会的主题为“先进III-V族器件及可靠性”，会议邀请了IEEE 杰出讲师、Fellow陈文新教授（Mansun Chan）和刘纪美（Kay Mei Lau）做专题报告，我所重点实验室曾畅博士做了学术报告。本次参会人员约30人，主要来自我所、华南理工大学、广东工业大学、西安电子科技大学的科技人员和研究生。
陈文新教授的报告题目为“超越器件物理的紧凑建模”。他是SPICE软件中BSIM统一模型的主要开发者，该模型被大多数美国公司采用，并成为了第一个MOSFET模型的工业标准。该报告介绍了集成电路学术界仿真模型和工业界仿真模型相结合的开发过程，是一个可更高效开发的平台。纳米工程电子器件仿真（NEEDS）和交互模型和在线仿真（i-MOS）的出现，为器件模型开发者提供了一个协作平台，引入现在软件工程方法学可有效缩短模型的开发时间。
刘纪美教授的报告题目为“面向硅上光电单片集成的III-V族器件异质结生长”。刘教授与工业界紧密联系，曾任美国麻省大学教授，在III-V材料与器件方面具有三十多年的经验。刘教授介绍了硅基衬底上外延生长III-V晶体管、InP缓冲层、InAlGaAs/ InAlAs多量子阱激光器的方法，以及缺陷控制手段。
曾畅博士介绍了我所在GaN器件失效机理研究及可靠性表征分析技术方面的研究进展。关于失效机理分析，他与工业界紧密连写，发现并解决了器件工艺方面的薄弱环节。
通过IEEE平台，我所与国外的知名教授或研究人员建立了定期沟通的渠道，在学术研究上保持同步。（杨少华供稿）
（重点实验室、科技委）
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