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半导体器件可靠性试验国家标准是指导半导体产业规范开展可靠性试验的重要技术依据。我所牵头编制的6项半导体器件可靠性试验国家标准，已于2025年9月1日全面实施，为产业提供器件可靠性评价的技术方法。

此6项标准主要针对影响半导体器件和电路寿命的主要失效机理，通过对晶圆级和芯片级的半导体单管和设计的测试结构开展加速应力试验，从而对半导体器件工艺的可靠性进行评价。6项标准包括：

◆ 1、半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验（GB/T 45716-2025）

◆2、半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验（GB/T 45718-2025）

◆3、半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验（GB/T 45719-2025）

◆4、半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验（GB/T 45720-2025）

◆5、半导体器件 应力迁移试验 第1部分：铜应力迁移试验（GB/T 45721.1-2025）

◆6、半导体器件 恒流电迁移试验（GB/T 45722-2025）