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由我所重点实验室牵头编制的2项团标SiC MOSFET DRB试验方法和DH3TRB试验方法，以及参与编制的7项相关SiC MOSFET测试与可靠性相关系列团标，经第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）审批，于2024年11月19日正式发布并实施。

这一系列标准的发布，构建了SiC MOSFET从关键参数测试到极端工况验证的完整评价体系，覆盖了从器件特性到实际应用场景的全生命周期测试验证需求，填补了SiC MOSFET在高频、高温、高湿等复杂应用场景下的测试标准空白，为SiC MOSFET功率器件提供一套科学、合理的测试与评估方法，支撑产品性能提升，推动产业高质量发展。