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由工业和信息化部电子第五研究所（以下简称电子五所）元器件可靠性国家级重点实验室牵头编制，联合行业专业单位参与，经中国电子学会批准，《电子元器件失效机理、模式及影响分析（FMMEA）通用方法和程序》《电子元器件故障树分析方法和应用方法》《MEMS器件冲击可靠性试验方法》等7项标准于2021年11月22日发布，于2022年2月1日实施，现正式印刷出版。

       此次发布的7项标准，主要面向电子元器件、半导体器件在质量可靠性标准化方面的需求，总结实验室多年的科研和技术开发成果，形成可靠性分析、测试及评价等方面的电子学会团体标准，可以为开展相关产品的质量可靠性工作提供支撑。各标准的内容简要介绍如下：

1、T/CIE 115—2021《电子元器件失效机理、模式及影响分析（FMMEA）通用方法和程序》

规定了对电子元器件进行失效机理、模式及其影响分析（FMMEA）的通用方法和程序。本标准的发布是对系统及整机级的FMEA标准的有效补充，适用于电子元器件在设计和应用阶段的潜在失效问题识别，并预先采取有效的预防措施；从而支撑元器件的可靠性设计、生产工艺控制以及整机用户的可靠性应用。起草单位：电子五所、中国电科55所、电子科技大学。主要起草人：来萍、陈媛、何小琦等。

2、T/CIE 116—2021《电子元器件故障树分析方法与程序》

规定了基于失效物理的电子元器件故障树建树方法及故障树分析程序。描述了以故障树为载体的电子元器件故障信息库构建方法。适用于电子元器件在设计、研制、生产和使用阶段进行故障树建造和失效路径分析，其结果可用于电子元器件的质量归零问题分析、可靠性设计分析和应用风险分析。起草单位：电子五所。主要起草人：何小琦、陈媛、恩云飞等。

3、T/CIE 117—2021《MEMS器件机械冲击试验方法》。

规定了MEMS器件在加电和不加电状态下的机械冲击试验方法的技术要求、试验程序和检验评价规则等。目的在于评估MEMS器件在装卸、运输和使用环境中，由于瞬时受力或者运动状态突然发生变化而产生瞬间机械冲击时的抗冲击能力。适用于MEMS器件的研制、生产和产品鉴定验收等阶段，适用的机械冲击脉冲宽度范围0.05ms～30 ms，峰值范围5g～30,000g。起草单位：电子五所、东南大学、中国科学院微电子研究所。主要起草人：黄钦文、来萍、董显山等。

4、T/CIE 118—2021《多热源组件（MCM/SiP）热性能指标及评价方法》

规定了多热源组件（MCM/SiP）的稳态和瞬态热性能表征参数，包括：结温矩阵、热阻矩阵、热特性参数和瞬态热阻抗等，以及这些热性能表征参数的指标要求和检测评价方法。适用于混合集成电路（HIC）、多芯片组件（MCM）、系统级封装（SiP）组件等多热源组件的热性能指标制定，及多热源组件的热性能检测、热设计和可靠性设计分析与验证。起草单位：电子五所。起草人：何小琦，周斌，黄云等。

5、T/CIE 119—2021《半导体器件大气中子单粒子效应试验方法与程序》

规定使用散裂中子源对半导体器件进行大气中子单粒子效应加速试验的方法与程序。适用于航空、地面等应用环境中半导体集成电路和分立器件的中子单粒子效应敏感性检测试验。中子来源于初始高能宇宙射线与大气的相互作用，主要为热中子和能量高于1MeV的高能中子。不适用于α粒子引起的单粒子效应。

起草单位：电子五所、中国民用航空适航审定中心、散裂中子源科学中心等。主要起草人：张战刚、雷志锋、黄云等。

6、T/CIE 120—2021《半导体集成电路硬件木马检测方法》

规定了对半导体集成电路开展硬件木马检测的方法和程序，适用于自主设计但制造过程非受控的集成电路的硬件木马检测，可用于集成电路的提供者、使用者和第三方评价集成电路产品的安全。起草单位：电子五所、国防科技大学、西安电子科技大学。主要起草人：王力纬、侯波、雷登云等。

7、T/CIE 121—2021《逆导型IGBT的热阻测试方法》

规定了逆导型绝缘栅双极型晶体管（IGBT）器件的稳态热阻和瞬态热阻的电学法测试的基本原理和方法。本标准以IGBT中体二极管导通电压为热敏参数，建立适用于逆导型 IGBT器件的热阻测试电路和方法，规范逆导型IGBT的热阻测试流程，提高测试准确性。

起草单位：电子五所、电子科技大学、北京工业大学等。主要起草人：陈媛、来萍、何小琦等。

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