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2021年7月29日，国际电气电子工程师学会电子元器件广州分会（以下简称IEEE EDS 广州分会）成功组织召开了第二十届国际学术研讨会，本次会议采用“线上直播+线下会议”相结合的方式进行，由我所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室和IEEE EDS联合主办，所科技委协办。来自台湾清华大学、台湾交通大学、香港大学、华南理工大学、中山大学、广东工业大学、电子五所等单位的研究学者和工程师参加了此次会议。

本次研讨会由IEEE EDS广州分会主席、所总工程师、研究员恩云飞组织召开，会议方邀请3名IEEE EDS杰出讲师和1名 IEEE会员作微电子前沿技术的发展报告。专家们分别从高性能的MOSFET 和 FinFET器件设计、CMOS RF器件以及多阵列AI存储器设计、器件及系统的未来技术演变趋势以及对纳米MOSFET的建模和寿命预测4个前沿方向作了系统性的介绍，参会者进行了热烈地讨论和交流。

IEEE EDS广州分会为我所科研人员提供了一个良好的交流与合作平台，促进我所在国际上微电子器件可靠性研究领域的知名度和影响力不断提升。