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我所重点实验室陈义强博士获美国发明专利授权

  • 2016-08-17
  • 来源:科技与规划处 、重点实验室
  • 供稿人:张鹏南、陈义强
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我所重点实验室陈义强博士通过PCT途径申请的美国发明专利《Prognostic Circuit of Electromigration Failure for -Integrated Circuit》(US Patent No. 9329228B2)于2016年5月3日获得授权,这是我所首次在美国获得授权的国际发明专利,标志着我所在科技创新和国际化自主知识产权方面又迈出了重要的一步。

该专利发明了集成电路失效预警相关的一项关键技术,实现了对电迁移导致的电阻增大或晶须引起的短路的预警功能,提高了对电迁移失效现象的预警效率。近年来,陈义强博士等人突破半导体器件物理机制分析、模型构建及寿命预测技术,提出了基于预兆单元法的电迁移、热载流子注入等集成电路关键失效机理监测方法,并形成了面向超大规模集成电路尤其是片上系统(System on Chip, SoC)的失效预警技术体系,为解决传统可靠性保障无时效性等难题提供了新的技术途径。